中微公司-688012-机构调研汇总

公司近况介绍:

• 营业收入：中微公司2026年前三季度营业收入为103.26亿元，同比增长约28.08%；公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。
• 归属于上市公司股东的净利润：2026年前三季度为41.34亿元，较上年同期增长约29.23亿元，同比增长约241.31%；2026年前三季度营业收入增长28.08%下，毛利较上年同期增长约10.21亿元；前三季度研发支出较上年同期增长6.99亿元，增长约27.70%，研发支出占公司营业收入比例约为31.20%，远高于科创板均值。
• 对外股权投资/扣非净利润/战略目标：经评估师评估，公司以公允价值计量且其变动计入当期损益的对外股权投资于2026年前三季度产生公允价值变动收益和投资收益合计约19.40亿元，较上年同期的3.49亿元增加约15.91亿元；公司本期出售了部分持有的拓荆科技股份有限公司股票，产生投资收益约9.53亿元；2026年前三季度归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约16.23亿元，较上年同期增加7.36亿元，增长约83.01%，主要由于营业收入增长下毛利增加10.21亿元，以及研发费用较上年同期增加2.35亿元。中微公司开发高端先进设备一贯坚持“技术的创新、产品的差异化和知识产权保护”，这使公司开发的新设备有极强的竞争力和迅速扩大市场份额的能力；公司研发新产品的速度显著加快，过去通常需要三到五年开发一款新设备，现在只需两年或更短时间就能开发出有竞争力的新设备，并顺利进入市场，公司有望在未来几年更大规模地推出新产品；公司持续加大研发创新力度，自主开发的各类新产品对标国际先进同类设备技术水准，多款机型经客户端验证，关键性能指标达到国际先进水平，部分指标优于海外标配设备；目前公司的五十多种设备产品已经覆盖了超过30%的前道集成电路设备产品，未来五年，公司将通过自主开发与外延并购，覆盖60%以上的集成电路高端设备市场和70%以上的先进封装设备市场，成为全球领先的高端设备平台型公司。

问答环节主要内容:

1、请问公司如何展望2026年、2027年新签订单的增速?

• 2026年：公司新签订单体量和增速均达到历史新高；订单增速高于确认销售收入增速，全年在手订单充裕；下游各类客户需求旺盛，公司预计2027年订单将持续保持强劲的增长。

2、请问公司如何展望2027年的收入增长?

• 机台累计：公司前三季度机台累计已有超过9300个反应台在国内外220余条生产线全面量产；业绩创新高，前三季度营业收入首次突破百亿规模，归母净利润增长241.31%；公司与供应链厂商紧密合作，持续提升交付能力；目前在手订单充裕，大客户扩产需求旺盛，公司多款新品快速导入客户并持续推进，各类薄膜设备收入增速远高于公司平均，薄膜业务占比持续提升，将支撑公司2027年收入保持快速增长。

3、全球半导体设备及上游零部件需求旺盛,供给逐步趋紧,请问公司如何保证产品按时交付?

• 下游客户需求：下游客户需求非常旺盛，零部件紧张是行业共同面临的挑战；中微公司近些年培养了多家国产核心零部件供应商，公司会持续加快导入国产零部件，同时推动供应商产能提升，支持未来产品如期交付。

4、请问公司导入国产零部件厂商对公司成本产生怎样的影响?

• 中长期看：规模采购、提升零部件国产化率是公司保持稳定毛利率的重要手段；公司与国内供应商紧密合作，建设健康的产业生态，提升国产零部件的规模与稳定性。

5、国内存储客户目前在4F²、3D存储等新技术做前沿布局,请问这些存储新技术对公司刻蚀、薄膜业务的影响?公司有哪些新设备的布局?

• 存储器件的3D化：存储器件的3D化带来的工艺瓶颈主要体现在极高深宽比刻蚀和高深宽比填充，这正是中微公司的技术优势和积累最深的领域；针对3D存储，公司新推出多款先进的刻蚀及薄膜设备。
• Primo Angnova：公司新的ICP刻蚀设备Primo Angnova取得140:1高深宽比刻蚀结果和形貌控制能力，已付运至国内领先存储客户端认证；公司新的CCP刻蚀Primo XD-RIE极高深宽比刻蚀机，该设备支持70:1到90:1深宽比工艺，已付运客户端验证；针对先进逻辑和存储等器件工艺需求，中微公司正式推出Primo Domingo高选择性化学气相刻蚀设备。
• CVD-W：公司的CVD-W、HAR-W、ALD-W钨系列产品已经取得大批量订单，成为存储客户产线标配设备，累计出货超过500个反应台；公司也推出了下一代原子层钼沉积工艺的新设备，验证进展顺利。

6、请问公司PECVD、CuBS PVD、EPI等新产品的验证进展如何?

• PECVD及CuBS PVD：PECVD及CuBS PVD是薄膜沉积设备中价值占比高的产品；公司的PECVD设备具备16个反应台配置，采用了最新的等离子体源，具有更高的沉积速度，输出量较国内外标配设备提升80%到100%；PECVD氮氧叠层、碳掩膜等新品在客户端顺利验证中；公司的CuBS PVD设备配置14个反应腔、对称双路径设计，相较国内外标配设备大幅降低BS的电阻率，输出率提升50%至100%，获得多家头部客户认可，并已交付至国内先进逻辑器件研发线验证中。
• EPI设备：EPI设备是先进逻辑工艺中非常关键的设备，公司的减压外延设备已付运到先进制程客户端进入量产验证阶段，常压外延设备也在进入晶圆验证阶段。

7、请问公司下一代超高深宽比产品、薄膜类产品在先进存储客户的进展如何?

• 60:1高深宽比刻蚀设备：中微公司所开发的拥有完全自主知识产权的60:1高深宽比刻蚀设备已经成为客户标线设备，实现大批量的生产，产品的uptime超过90%，设备性能得到客户高度认可。
• 下一代90:1超高深宽比刻蚀设备：下一代90:1超高深宽比刻蚀设备在性能、生产效率和稳定性方面全面升级，目前已在客户端验证，已经达到客户对超高深宽比技术的要求。
• 应客户的要求：应客户的要求，中微公司正在开发PECVD、PVD、ALD等薄膜设备，其中钨系列薄膜沉积产品已经取得了大批量的订单，实现规模化量产；新的PECVD设备在沉积速度、均匀性、输出量等关键指标已经达到国际领先水平；ALD钼也已经进入生产线顺利验证；中微公司有能力为客户的关键工艺提供集成化整体工艺解决方案。

8、请问公司目前NAND和DRAM订单的增长趋势分别如何?预计未来两大类应用的占比会有何变化?

• DRAM客户订单：前三季度，公司DRAM客户订单保持高于公司整体订单的增速，占比显著提升。
• NAND和DRAM客户订单合计：NAND和DRAM客户订单合计占比在60%左右；伴随公司刻蚀产品和薄膜新品在DRAM客户的持续放量，NAND类客户和DRAM类客户的订单占比接近。
• 先进逻辑10nm以下：公司在先进逻辑10nm以下各个节点有全面的布局，产品验证顺利。

9、请问公司CMP业务的整合进展?量检测新品的进展如何?

• 杭州众硅：公司于今年6月完成对杭州众硅的并购，目前正在推进全面整合以及共同销售，更多CMP机台在先进逻辑、存储客户的认证与放量还需要一段时间。
• 量检测设备：公司只用了一年多的时间，已经开发出关键尺寸CD-SEM的Alpha机台，产品较国际产品有更先进的设计，更高的输出量；后续会陆续开发高电压HV-SEM、缺陷复检的DR-SEM等机台；未来，公司将通过自研、并购实现对光学和电子束量检测设备的全面覆盖。

10、请问公司大平板设备的最新进展如何?未来有什么规划?

• OLED 8.6代线大平板PECVD设备：公司仅用18个月时间，就成功开发出重达150吨的OLED 8.6代线大平板PECVD设备，达到客户生产线±5%薄膜厚度均匀性要求，并顺利进入大生产线认证。
• 未来：未来，公司会陆续布局应用于OLED 8.6代线大平板应用的其他工艺设备。

11、请问公司中长期从刻蚀向平台型设备公司的战略规划,未来会继续覆盖哪些新的设备领域?

• 到2030年：公司将覆盖超60%的高端半导体设备，其中包括刻蚀、薄膜、量检测和湿法等设备；同时，公司也将覆盖超70%的先进封装类设备。

12、请问公司对海外业务的发展有何展望?

• 中微公司自2004年成立以来：中微公司自2004年成立以来，一贯的发展目标是成为全球第一梯队的半导体设备公司，一直致力于研发和生产有国际竞争力的半导体设备。
• 海外最先进逻辑客户：公司具备较好的海外客户基础，目前在海外最先进逻辑客户已经累计交付约800个反应台；公司强调完全自主知识产权，产品的国际竞争力在不断提升，实现更小的占地面积，更高的输出量；公司在持续对接更多意向客户，未来会通过直接销售或者间接销售的方式去覆盖海外市场。

公司近况介绍

• 公司概况：中微公司自2004年成立，致力于等离子体刻蚀、化学薄膜、量检测等高端关键设备；已开发54种高端半导体设备，包括26种刻蚀机、24种薄膜设备、CMP及量检测设备；刻蚀和薄膜加工精度达原子级；2026年上半年完成对众硅公司控股权收购，实现“干法+湿法”整体解决方案；截至2026年6月底累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线量产。
• 业绩表现：在过去十四年保持年均收入增速大于35%的基础上，2026年上半年收入同比增长34.89%至约66.91亿元；人均年销售额450万元，人均成本不到国际设备公司一半；扣非归母净利润同比增长108.36%至约11.23亿元。
• 研发投入：研发投入约20.41亿元，同比增长36.86%，占营业收入比例约30.51%，高于科创板平均；同时推进六大类、超20款新设备研发；新设备开发周期从三到五年缩短至两年或更短；五十多种设备覆盖超30%前道集成电路设备，未来五年将覆盖60%以上集成电路高端设备市场和70%以上先进封装设备市场。

问答环节主要内容

• 1、全球WFE市场：AI推动需求，SEMI预测2026年全球WFE规模增长23.1%至1439亿美元，2027年增长21.8%至1753亿美元，2028年突破2000亿美元；中国大陆约占全球35%~40%；公司采取产品多样化布局对冲周期风险。
• 2、产品交付：公司保持100%按时交付；与海外零部件供应商长期合作并战略备库；推进国产供应商方案导入，保证供应链安全及时稳定；与客户提升生产及验证效率。
• 3、海外业务：海外最先进逻辑客户累计交付约800个反应台；强调完全自主知识产权，产品国际竞争力提升，实现更小占地面积、更高输出量；持续对接海外意向客户，拓展海外市场。

• 4、产能与资本开支：现有金桥、临港一期、南昌三大基地；临港总部2026年8月1日落成；广州、成都基地2027年上半年投产；目前厂房建筑面积60万平方米，临港二期2026年下半年开工，未来五年增至90万平方米。
• 5、先进制程布局：多重曝光及3D化增加刻蚀、薄膜、量检测及湿法设备工艺步骤；高深宽比刻蚀机带来增长动能；EPI设备已在成熟制程验证成功并付运先进制程客户；推进方波技术、ALE、ALD在ICP刻蚀设备应用；先进封装设备布局带动TSV、CuBS PVD、镀铜、量检测、混合键合等需求，2026年上半年先进封装新签订单大幅增长。
• 6、下一代产品进展：60:1高深宽比刻蚀设备成为客户首选、实现批量量产且uptime超90%；90:1超高深宽比刻蚀设备在客户端验证；钨系列薄膜沉积产品获大批量订单并规模化量产；PECVD关键指标国际领先；ALD钼已进入生产线验证。

• 7、薄膜沉积产品：自2010年MOCVD起，氮化镓基MOCVD全球领先；已开发金属栅极、钨系列、PECVD及EPI等产品；CVD钨、极高深宽比钨和ALD钨设备在国内存储大厂批量销售；PEALD设备交付先进逻辑客户验证；OLED 8.6代线大平板PECVD设备18个月开发成功并进入大生产线认证；薄膜设备在手订单饱满。
• 8、MOCVD、先进封装与量检测：MOCVD覆盖蓝光照明、深紫外LED、Mini-LED、Micro-LED、SiC、GaN功率器件等；2025年保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先；红黄光LED MOCVD样机已送客户验证；TSV刻蚀设备持续批量订单，TSV CuBS PVD集成设备开发顺利并启动UBM PVD研发；已布局光学及电子束量检测，CD-SEM alpha机台实验室测试良好，规划HV-SEM、DR-SEM。
• 9、人员规模：截至2026年6月30日共3680人，研发人员1908人，占总人数51.85%，硕博占研发人员59.59%；人均年销售额450万元，人均成本低于海外设备公司；未来聚焦员工效率，稳健扩张。

公司近况介绍

• 2025年营业收入达到123.85亿元，同比增长约36.62%
• 刻蚀设备销售约98.32亿元，同比增长约35.12%；LPCVD设备销售约5.06亿元，同比增长约224.23%
• 归属于母公司所有者的净利润约21.11亿元，同比增长约30.69%
• 研发投入约37.44亿元，占公司营业收入比例约为30.23%

问答环节主要内容

• 全球WFE市场规模：2026年达1385亿美元，同比增长11.8%；2027年达1513亿美元，同比增长9.2%
• 存储行业：人工智能提升存储需求，存储器件3D化趋势明确，公司高深宽比刻蚀等核心工艺已大批量出货
• 薄膜沉积新品：CuBS PVD超多反应腔集成设备已交付至国内先进逻辑器件研发线验证，未来将全面布局8大类薄膜产品
• 人员扩张：2025年全球员工2963人，研发人员1548名（占52.24%），人均销售额超过450万元

• 下一代超高深宽比产品：60:1高深宽比刻蚀设备累计装机超300个反应腔，下一代设备已进入客户端验证
• 研发投入展望：未来随着收入体量增长，研发投入占收入比例将持续下降
• 先进封装市场：公司设备覆盖度将做到70%以上，CCP和TSV设备等已批量交付
• 毛利率：受机台类型、产品比例、客户结构等多因素影响，公司将通过成本控制等方式保持长期稳定

• 先进逻辑产品布局：刻蚀产品实现全面覆盖，PVD、PECVD、ALD、EPI等多款新设备在多个客户验证中
• 收购杭州众硅：为客户提供“干法+湿法+量检测”整体解决方案，标志着向“集团化”和“平台化”迈出关键一步
• 海外营收：目前主要收入由国内客户贡献，海外收入占比较低，公司已与多家海外制造商建立合作